MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

1. MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.

1.1 Jenis- Jenis MOS

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon ini yang akan digunakan sebagai landasan (substrat) penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor ini dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah. Bila dilihat dari cara kerjanya, transistor MOS dapat dibagi menjadi dua, yaitu: 

1) Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion) 

Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang menghubungkan dua terminal tersebut, dimana saluran tersebut mempunyai fungsi sebgai saluran tempat mengalirnya elektron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 1.

2) Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement) 

        Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan sourcenya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate. Transistor MOSFET mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 2. 

Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokan menjadi tiga, antara lain:

 1) NMOS 

         Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan daerah source dan drain didifusikan tipe n+ dan daerah kanal terbentuk pada permukaan tipe n. NMOS yang umumnya banyak digunakan adalah NMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini source NMOS sebagian besar akan dihubungkan dengan –Vss mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan +Vdd. Dalam aplikasi gerbang NMOS dapat dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau dengan NMOS lainnya sesuai dengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah NMOS dan resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.

            Negatif MOS adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber menggunakan saluran dari bahan electron, sehinga arus yang mengalir jika tegangan gerbang lebih positif dari substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT (Voltage Treshold). Skematik MOSFET tipe-n ditunjukkan dalam Gambar 3

2) PMOS 

        Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah source dan drain didifusikan tipe p+ dan deerah kanal terbentuk pada permukaan tipe p. Positif MOS adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran positif berupa hole, dimana arus akan mengalir jika tegangan gerbang lebih negative terhadap substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT.

        PMOS yang umumnya banyak digunakan adalah PMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini source PMOS sebagian besar akan dihubungkan dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan -Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOS dapat dikombinasikan dengan resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuai dengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah PMOS dan resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.

3) CMOS (Complementary MOS)

MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran tipe-n dan tipe-p secara bergantian sesuai dengan tegangan yang dimasukkan pada gerbangnya (gate).

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Bipolar Junction Transistor merupakan komponen elektronika yang memiliki tiga terminal yaitu Emitter, Base dan Collector. BJT umunya digunakan sebagai penguat arus listrik atau sakelar yang dikendalikan oleh arus masukan (input) pada BJT.

Tipe BJT
BJT memiliki dua tipe yaitu NPN dan PNP yang ditunjukan pada Gambar 1. PNP ditandai dengan simbol tanda panah pada terminal Collector dengan arah menuju terminal Base, sedangkan NPN memiliki tanda panah pada terminal Emitter dengan arah keluar terminal Emitter.

Prinsip Dasar Kerja BJT
BJT dapat bekerja atau aktif apabila terdapat tegangan minimal sebesar 0,7 Volt pada Base-Emitter atau Collector-Base tergantung dari tipe BJT, kemudian terdapat arus yang mengalir pada Base dengan arah tergantung dari tipe BJT sehingga akan mempengaruhi besarnya arus yang mengalir pada terminal lainnya.

BJT tipe NPN, transistor dapat bekerja jika terdapat arus yang mengalir pada Base-Emitter dengan syarat minimum tegangan Base-Emitter 0,7 Volt. Bekerjanya transistor NPN ditandai dengan adanya arus listrik mengalir dari termintal Collector menuju ke Emitter. Prinsip dasar kerja BJT ditunjukan pada Gambar 2.

BJT tipe PNP, transistor dapat bekerja atau aktif jika terdapat arus listrik dari Collector  menuju ke Base dengan syarat memiliki tegangan Collector-Base minimal 0,7 Volt. Bekerjanya transistor PNP ditandai dengan adanya arus listrik yang mengalir dari Emitter ke Collector. Prinsip dasar kerja transistor PNP ditunjukan pada Gambar 3. 

Konstruksi BJT 

1. Konstruksi Dasar BJT NPN

Pada BJT tipe NPN memiliki dua P-N Junction yaitu pada Emitter-Base dan Base-Collector dengan konstruksi dasar ditunjukan pada Gambar 4. Emitter dibuat dari bahan semikonduktor tipe N yang memiliki pembawa mayoritas  (majority carrier) elektron dengan konsentrasi tinggi, Collector juga dibuat dari bahan semikonduktor tipe N, akan tetapi memiliki konsentrasi lebih rendah dibanding Emitter. Sedangkan Base dibuat dari bahan semikonduktor tipe P dengan pembawa mayoritas hole.

Depletion Layer BJT NPN
Dengan adanya konstruksi BJT yang disusun sedemikianrupa seperti ditunjukan Gambar 4 bahwa elektron dapat melewati atau berpindah dari derah N ke P melalui junction karena terdapat perbedaan konsentrasi elektron pada masing-masing daerah. Proses perpindahan elektron melalui junction disebut sebagai difusi. Proses difusi akan terus terjadi hingga terjadi kesetimbangan, saat kesetimbangan terjadi maka disekitar junction akan terbentuk ion positif dan negatif yang menyebabkan elektron tidak dapat melewati junction lebih lanjut. Daerah yang ditempati ion positif dan ion negatif itulah yang disebut sebagai Depletion Layer atau juga lebih dikenal dengan Depletion Region.

Depletion Layer dapat berubah menjadi lebih lebar jika diberi reverse bias sehingga arus listrik semakin sulit mengalir.

Depletion Layer Emitter-Base NPN

Pada Gambar 5 menunjukan Depletion Layer pada Bipolar Junction Transistor tipe NPN. 

Gambar 5. Depletion layer pada BJT NPN

Untuk lebih mudah memahami bagaimana Depletion Layer terbentuk pada Emitter-base adalah sebagai berikut :
Asumsikan setiap atom pada Emitter memiliki tiga elektron dan setiap atom pada Base memiliki satu hole. Elektron pada Emitter akan selalu berusaha berpindah ke Base karena Base memiliki elektron jauh lebih dedikit dan terjadi proses difusi.

Saat proses difusi atom pada Emitter mendonorkan tiga elektron pada Base, sehingga atom pada Emitter yang kehilangan elektron tadi berubah menjadi satu ion positif. Pada sisi Base setiap atom yang mendapatkan satu elektron sehingga atom tersebut kelebihan elektron berubah menjadi satu ion negatif, karena ada tiga elektron donor dari Emitte maka pada Base terdapat tiga ion negatif. Maka pada daerah dekat junction terdapat ion positif dan ion negatif yang menghalangi perpindahan elektron lebih lanjut. Daerah yang memiliki ion positif dan ion negatif inilah disebut sebagai Depletion Layer atau juga sering disebut sebagai Depletion Region.

Depletion Layer Base-Collector NPN
Depletion layer pada Base-Collector ditunjukan pada Gambar 5 juga terbenttuk karena perbedaan konsentrasi semikonduktor tipe N pada Collector dan semikonduktor tipe P pada Base. Semikonduktor tipe N pada Collector memiliki konsentrasi lebih rendah dibanding Emitter. Untuk memahami bagaimana depletion layer pada Base-Collector terbentuk maka asumsikan setiap atom pada Collector memiliki dua elektron, dan pada Base satu atom memiliki satu hole.

Perbedaan konsentrasi elektron maupun hole pada Base-Collector menyebabkan proses difusi terjadi dimana satu atom pada Collector mendonorkan dua elektron pada Base, atom yang mendonorkan dua elektron menjadi satu ion positif. Pada daerah Base, satu atom mendapatkan satu elektron, karena mendapatkan dua elektron donor maka dua atom pada Base menjadi dua ion negatif.

Pada Collector memiliki daerah lebih lebar dan konsntrasi lebih rendah dibanding Emitter sehingga sekitar daerah junction dapat memuat elektron dan hole lebih banyak. Hal ini ditunjukan pada depletion layer memiliki dua ion positif dan empat ion negatif. Daerah yang memiliki ion positif dan ion negatif disebut sebgai Depletion Layer.

Tegangan Bias BJT NPN
Transistor NPN akan aktif jika sumber dc dihubungkan pada terminal transistor seperti ditunjukan pada Gambar 6 yang memberikan forward bias pada Base-Emitter dan reverse bias pada Base-Collector.

Gambar 6. Bias transistor NPN

Saat Base-Emitter mendapatkan forward bias, elektron pada Emitter akan tertolak oleh kutub negatif sumber tegangan dc pada tterminal Emitter kemudian elektron melewati depletion layer menuju ke terminal Collector, dan sedikit elektron akan melewati Base menuju sumber tegangan yang disebabkan karena Base memiliki konsentrasi elektron sangat sedikit dan tentu saja jumlah elektron yang sangat sedikit tadi tertarik oleh kutub positif sumber tegangan pada terminal Base. Dengan adanya elektron bergerak dari Emitter menuju terminal Base lalu ke sumber tegangan menyebabkan arus listrik mengalir dari Base (IB) menuju ke terminal Emitter lalu menuju kutub negatif sumber tegangan (IE). Arah arus listrik berlawanan dengan arah pergerakan elektron.

Elektron dari Emitter melewati depletion layer menuju ke terminal Collector terjadi karena elektron tertarik oleh kutub positif sumber tegangan pada terminal Collector dan adanya elektron dari ion negatif yang meninggalkan depletion layer menuju ke Base sehingga tempat yang ditinggalkan elektron tadi diisi elektron dari Emitter untuk selanjutnya dapat pindah ke Collector.

Dari penjelasan diatas dapat dilihat bahwa arus listrik dari terminal Collector  mengalir menuju terminal Emitter, arus pada Base juga menuju ke Emitter sehingga IE = IB+ IC.

2. Konstruksi Dasar BJT PNP

Transistor PNP dibuat dari dua semikonduktor bahan P yang mengapit semikonduktor bahan N seperti ditunjukan pada Gambar 7. Daerah semikonduktor tipe P Emitter dan Collector memiliki pembawa mayoritas hole  dan pembawa minoritas elektron sehingga konesentrasi elektron jauh lebih sedikit dibanding hole, sedangkan semikonduktor tipe N pada Base memiliki pembawa muatan mayoritas elektron dan pembawa minoritas hole. Pada Base, konsentrasi elektron pada Emitter lebih tinggi dibanding Collector.

Gambar 7. Konstruksi BJT tipe PNP

Kita tahu bahwa pada perbedaan konsentrasi pembawa muatan elektron maupun hole menyebabkan elektron selalu berusaha pindah ke daerah yang memiliki elektron dengan konsentrasi lebih rendah (daerah dengan konsentrasi hole lebih tinggi).
Dapat dilihat bahwa pada PNP mayoritas pembawa adalah hole dan karena secara fisik yang berpindah atau bergerak adalah elektron bukan hole maka penjelasan selanjutnya akan menggunakan pergerakan elektron

Depletion Layer BJT PNP
Saat transistor PNP tidak diberi bias elektron akan selalu berusaha berpindah ke daerah dengan konsentrasi elektron lebih rendah atau konsentrasi hole tinggi yang disebabkan leh perbedaan konsentrasi muatan listrik bahan. Sehingga pada konstruksi Gambar 7 saat transistor tidak diberi tegangan bias atau diberi tegangan 0 Volt maka akan membentuk daerah yang disebut Depletion layer.

Gambar 8. Depletion Layer BJT tipe PNP

Gambar 8 menunjukan bahwa elektron dapat berpindah melewati junction dari daerah P ke N (difusi) karena terdapat perbedaan konsentrasi elektron pada masing-masing daerah. Proses difusi akan terus terjadi hingga mencapai kesetimbangan, saat kesetimbangan terjadi maka disekitar junction akan terbentuk ion positif dan negatif yang menyebabkan elektron tidak dapat melewati junction lebih lanjut. Daerah yang ditempati ion positif dan ion negatif itulah disebut sebagai Depletion Layer atau juga lebih dikenal dengan Depletion Region yang ditunjukan pada Gambar 7.

Depeltion layer Emitter-Base PNP
Untuk mempermudah memahami bagaimana depletion layer pada Emitter-Base terbentuk, asusmsikan bahwa pada satu atom daerah P memiliki tiga hole dan setiap atom bahan P memiliki satu elektron.

Pada proses difusi, satu atom pada daerah Base mendonorkan satu elektron pada setiap atom pada Emitter, karena satu atom pada Emitter memiliki tiga hole maka memerlukan tiga elektron. Oleh karena itu setiap atom pada Emitter membutuhkan tiga elektron dari Base. Setiap atom pada Base yang mendonorkan elektronnya akan menjadi satu ion positif, sedangkan satu atom pada Emitter mendapatkan tiga elektron akan menjadi satu ion negatif. Hal ini terjadi hingga keadaan setimbang tercapai. Dengan adanya ion positif dan ion negatif disekitar junction Emitter-Base menghalangi perpindahan elektron selanjutnya. Daerah yang memiliki ion positif dan ion negatif pada Emitter-Base inilah yang disebut sebagai depeltion layer Emitter-Base. Depletion layer dapat berubah menjadi lebih lebar jika diberi reverse bias menyebabkan arus listrik semakin sulit untuk mengalir.

Depeltion layer Base-Collector PNP

Untuk mempermudah untuk memahami bagaimana depletion layer pada Base-Collector terbentuk, asusmsikan bahwa pada satu atom pada Collector memiliki dua hole dan setiap atom bahan pada Base sama seperti penjelasan sebelumnya yaitu satu atom memiliki satu elektron.

Saat proses difusi satu atom pada Base mendonorkan satu elektron pada Collector. Sedangkan pada Collector membutuhkan dua elektron (memiliki dua hole). Sehingga dua atom pada Base mendonorkan elektronnya pada Collector, hasilnya adalah  dua atom pada Base yang mendonorkan elektronnya menjadi dua ion positif, pada Collector satu atom yang menerima dua elektron menjadi satu ion negatif. Dikarenakan daerah Collector memiliki memiliki daerah lebih lebar dibanding Emitter dan memiliki konsentrasi Hole lebih sedikit dibanding Emitter dapat menampung ion positif dan negatif lebih banyak sehingga memiliki daerah depletion layer lebih lebar yang ditunjukan pada Gambar 7.

Tegangan Bias BJT PNP
Untuk mengaktifkan transistor PNP diperlukan tegangan bias seperti ditunjukan pada Gambar 9. Saat Emitter - Base diberi forward bias dan Base-Collector diberi reverse bias, elektron dari sumber tegangan akan bergerak menuju terminal Base, kemudian elektron melewati depletion layer menuju terminal Emitter. dengan pergerakan elektron dari terminal Base menuju terminal Emitter maka arus listrik mengalir dari Emitter menuju Base.

Gambar 9. Bias transistor PNP

Kemudian elektron pada sumber tegangan  pada terminal Collector  mengalir menuju Emitter melewati depeltion layer, hal ini disebabkan elektron pada Base tertarik ke Emitter, dengan tertariknya elektron dari Base ke Emitter maka pada Base terdapat hole (akibat ditinggalkan elektron) dimana hole tersebut digunakan elektron lain dari terminal Collector untuk melintasi Base. Jika semakin banyak elektron pada Base tertarik menuju Emitter maka elektron yang melintas dari Collector ke Emitter juga akan semakin banyak sehingga arus listrik yang mengalir dari Emitter ke Collector juga akan semakin besar.

Pengertian Transistor dan Jenis-jenis Transistor

Pengertian Transistor dan Jenis-jenis Transistor – Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Boleh dikatakan bahwa hampir semua perangkat elektronik menggunakan Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya. Perangkat-perangkat elektronik yang dimaksud tersebut seperti Televisi, Komputer, Ponsel, Audio Amplifier, Audio Player, Video Player, konsol Game, Power Supply dan lain-lainnya.

Transistor pertama kali ditemukan oleh tiga orang fisikawan yang berasal Amerika Serikat pada akhir tahun 1947 adalah Transistor jenis Bipolar. Mereka adalah  John Bardeen, Walter Brattain, dan William Shockley. Dengan penemuan tersebut, perangkat-perangkat elektronik yang pada saat itu berukuran besar dapat dirancang dalam kemasan yang lebih kecil dan portabel (dapat dibawa kemana-mana). Ketiga fisikawan tersebut mendapatkan Hadiah Nobel Fisika pada tahun 1956 atas penemuan Transistor ini. Namun sebelum ketiga fisikawan Amerika Serikat tersebut menemukan Transistor Bipolar, seorang fisikawan Jerman yang bernama Julius Edgar Lilienfeld sudah mempatenkan Transistor jenis Field Effect Transistor di Kanada pada tahun 1925 tetapi Julius Edgar Lilienfeld tidak pernah mempublikasikan hasil penelitiannya baik dalam bentuk tulisan maupun perangkat prototype-nya. Pada tahun 1932, seorang inventor Jerman yang bernama Oskar Heil juga mendaftarkan paten yang hampir sama di Eropa.

Seiring dengan perkembangannya, Transistor pada saat ini telah dirancang telah berbagai jenis desain dengan fitur aliran arus dan pengendali yang unik. Ada jenis Transistor yang berada dalam kondisi OFF hingga terminal Basis diberikan arus listrik untuk dapat berubah menjadi ON sedangkan ada jenis lain yang berada dalam kondisi ON hingga harus diberikan arus listrik pada terminal Basis untuk merubahnya menjadi kondisi OFF. Ada juga Transistor yang membutuhkan arus kecil dan tegangan kecil untuk mengaktifkannya namun ada yang hanya memerlukan tegangan untuk mengoperasikannya. Ada lagi Transistor yang memerlukan tegangan positif untuk memicu pengendalinya di terminal Basis sedangkan ada Transistor yang memerlukan tegangan negatif sebagai pemicunya.

Jenis-jenis Transistor

Secara umum, Transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor). Perbedaan yang paling utama diantara dua pengelompokkan tersebut adalah terletak pada bias Input (atau Output) yang digunakannya. Transistor Bipolar memerlukan arus (current) untuk mengendalikan terminal lainnya sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya menggunakan tegangan saja (tidak memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor Bipolar memerlukan muatan pembawa (carrier) hole dan electron sedangkan FET hanya memerlukan salah satunya.

Berikut ini adalah jenis-jenis Transistor beserta penjelasan singkatnya.

1. Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan perpindahan muatan pembawanya yaitu electron di kutup negatif untuk mengisi kekurangan electon atau hole di kutub positif.   Bipolar berasal dari kata “bi” yang artinya adalah “dua” dan kata “polar” yang artinya adalah “kutub”. Transistor Bipolar juga sering disebut juga dengan singkatan BJT yang kepanjangannya adalah Bipolar Junction Transistor.

Jenis-jenis Transistor Bipolar

Transistor Bipolar terdiri dari dua jenis yaitu Transistor NPN dan Transistor PNP. Tiga Terminal Transistor ini diantaranya adalah terminal Basis, Kolektor dan Emitor.

• Transistor NPN adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan positif pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari Kolektor ke Emitor.
• Transistor PNP adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan tegangan negatif pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari Emitor ke Kolektor.

Simbol Transistor Bipolar (BJT) dapat dilihat di gambar atas.

Jenis-jenis Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor)

Transistor jenis FET ini terdiri dari tiga jenis yaitu Junction Field Effect Transistor (JFET), Metal Oxide Semikonductor Field Effect Transistor (MOSFET) dan Uni Junction Transistor (UJT).

• JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek Medanyang menggunakan persimpangan (junction) p-n bias terbalik sebagai isolator antara Gerbang (Gate) dan Kanalnya. JFET terdiri dari dua jenis yaitu JFET Kanal P (p-channel) dan JFET Kanal N (n-channel). JFET terdiri dari tiga kaki terminal yang masing-masing terminal tersebut diberi nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek Medan yang menggunakan Isolator (biasanya menggunakan Silicon Dioksida atau SiO2) diantara Gerbang (Gate) dan Kanalnya. MOSFET ini juga terdiri dua jenis konfigurasi yaitu MOSFET Depletion dan MOSFET Enhancement yang masing-masing jenis MOSFET ini juga terbagi menjadi MOSFET Kanal-P (P-channel) dan MOSFET Kanal-N (N-channel). MOSFET terdiri dari tiga kaki terminal yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
• UJT (Uni Junction Transistor) adalah jenis Transistor yang digolongkan sebagai Field Effect Transistor (FET) karena pengoperasiannya juga menggunakan medan listrik atau tegangan sebagai pengendalinya. Berbeda dengan jenis FET lainnya, UJT mememiliki dua terminal Basis (B1 dan B2) dan 1 terminal Emitor. UJT digunakan khusus sebagai pengendali (switch) dan tidak dapat dipergunakan sebagai penguat seperti jenis transistor lainnya.